内存颗粒，频率，时序和双通道知识简单科普
2020-12-13
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内存概述：
内存，即内部存储器。内存是计算机系统中硬盘数据和CPU数据交换的中转站，属于临时存储器。我们平时输入一段文字或玩一个游戏，其实是在内存中进行，当我们使用WPS处理文稿时，当你在键盘上敲入字符或者进行游戏时，它被存入内存中。当你选择存盘时，内存中的数据才会被存入硬（磁）盘，这也是关机放电后会导致内存中数据丢失的原因。
而硬盘，属于外部存储器，它可以长期存储数据，不受断电的影响，而且存储量大。
内存容量：如果你内存的容量不够，在玩游戏的时候，游戏有6GB数据，而你的内存只有4GB的剩余空间。这种情况下，CPU就不能流畅的跟内存条进行数据交换，这就会影响游戏的流畅了；或我们在电脑上同时运行多个软件多个网页，内存不够用时就会出现卡顿的情况。当你打开任务管理器时，会发现CPU的使用率并不是很高，说明CPU的性能并没有临进瓶颈。反而是内存占用率达到了100%，这就说明内存容量不够用，会导致整个系统运行不流畅。
内存功能：
内存的功能，内存相当于连接CPU与硬盘的“中介”，当我们运行某款软件时，首先是通过内存直接从硬盘中读取这款软件，写入到硬盘当中。因为内存的读写速度要比硬盘快的多，所以CPU会跟内存进行数据交换，而不是跟硬盘进行数据交换。
很多电脑小白不清楚怎么选购内存，首先我们来解释一下内存名称。
下面我们以芝奇内存为例：芝奇 皇家戟 DDR4 3200 16GB。
芝奇：是指内存品牌。
皇家戟：则是芝奇品牌下的一个系列，除此之外还有“幻光戟”、“焰光戟”等。不一样的系列命令，同时也代表着不同的市场定位。
DDR4：是指第四代DDR内存，DDR是指接口类型，目前已经发展到了DDR4。例如：DDR3与DDR4的接口就不一样，所以选购内存时要选择和主板内存接口类型相同的内存，否则接口类型不一样会插不上去。
3200：是指内存频率，单位为MHz，比如 2666、3000、3200等，数字越大，代表着内存速度越快，性能也越高。
16G：是指内存容量，一般而言，内存容量越大越有利于系统的运行。内存容量较早的有1GB、2GB或更小，目前市面上主流的为8G、16G、32G等。
系统中内存的数量等于插在主板内存插槽上所有内存条容量的总和，内存容量的上限一般由主板芯片组和内存插槽决定。不同主板芯片组可以支持的容量不同，比如Inlel的810和815系列芯片组最高支持512MB内存，多余的部分无法识别。
内存颗粒：
内存中最重要的元件就是内存的颗粒，就是上图中黑色的小方块。部分内存会搭配散热片、RGB灯效等，当然价格也会比普条高。
目前市面上90%以上的内存颗粒都来自于三星、海力士、镁光，整体质量上三星>海力士>镁光，这是指整体性能，但如果你拿海力士的高端跟三星的低端比，那肯定是海力士的高端好。当然近几年国内的颗粒技术也发展迅速，也可以生产颗粒了，比如合肥长鑫颗粒。
内存厂商在生产内存时更换不同颗粒还是很频繁的，同一系列产品上可能使用好几种颗粒，所以大多数内存详情页都不会标注这款内存使用什么颗粒。买到内存后我们可以通过查看颗粒上标识或使用软件查询（如：Thaiphoon）这个软件去检测内存颗粒的生产厂商和颗粒类型。
内存频率高有什么好处？
由于决定内存性能的核心因素有内存容量、带宽、频率，理论上来讲，在同代相同容量内存中，内存频率越高，性能也就越好。也就是说，频率是决定内存性能的一个非常重要的因素。如果不是同代内存，比如DDR3和DDR4内存，如果是相同容量下，DDR4内存性能肯定是要强于DDR3，毕竟DDR4内存频率均在DDR3之上，加之新一代内存还有带宽上升级，功耗更低等。
下面我们主要从第二代内存说起：
DDR2内存频率：333MHz/400MHz/667MHz/800MHz/1066MHz工作电压1.8V；
DDR3内存频率：1066MHz、1333MHz、1600MHz、2133MHz工作电压1.5V；
DDR4内存：频率：2133MHz、2400MHz、3000MHz、3200MHz工作电压1.2V；
可以看出，越是新一代内存，频率越高，并且工作电压由于工艺的提升，电压更低，功耗还更低。
在实际使用，比如买的是DDR4 3000内存，但是由于主板仅支持DDR4，那么DDR4 3000高频内存只能识别到DDR4 2400，对于这部分用户来说，DDR4 3000由于电脑不能完全识别，显得并不是特别合适，因此实际内存选择时，还需要看实际需求与价格。
什么是内存时序？
内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。
内存的时序其实就是内存的反应时间，当内存收到CPU发来的信号时，多长时间做出反应，这就是内存的时序。要想反应的越快，时序就要越短。
下图以“CL16-18-18-38”这个时序为例，时序中的四个数字分别对就着“CL-tRCD-tRP-tRAS"。
越低的时序代表颗粒体质越好，超频的潜力也就越大。内存的时序会随着频率的增加而增加，即使内存的时序会随着频率的增加而增加，但最后内存的延时并没有太大的变化。
频率相同时，时序越低，延迟也就越小。
时序相同时，频率越高，延迟也就越小。
内存的延迟计算公式：内存延时=时序（CLx2000）/内存频率。
DDR： （CL3*2000）/400MHz=15ns
DDR2：（CL5*2000）/800MHz=12.5s
DDR3：（CL9*2000）/1600MHz=11.5ns
DDR4：（CL15*2000）/2133=14ns
内存单通道与双通道之间有什么区别？
内存单通道，单通道内存在同一时间只能读，或者只能写，就像停车场的出入口只能通过一辆车，同一时间只能进或者出，车流量少的时候无所谓，但是车多的时候就互相等待。
内存双通道，是指使用两条相同品牌相同规格容量内存组建的一种内存方式，通俗的说双通道是指两个内存控制器分别控制两条内存，理论上比单通道的性能要强，因此目前被广泛使用。
不同之处：
1、要求不同：内存条单通道指需要一条内存条，双通道需要最少2条内存。
2、内存容量不同：都是单条2G的情况下，双通道是2条内存条，单通道是1条内存条。
3、读取速度不同：单通道内存在同一时间只能读，或者只能写；双通道是指内存的读、写使用不同的通道，可以同时读和写，内存带宽翻倍。
4、处理能力不同：双通道在读写方面比单通道有优势，在日常打开软件或者文档肯定要比单通道要快上一截。比如原来运行某些大型游戏时，由于内存带宽问题有点吃力，双通道带来的性能提升就能明显感觉到。
理论上，双通内存没有品牌要求，没有容量对等要求，另外，最好是同品牌内存，不同品牌内存也可能出现不兼容。
点击查看→内存双通道常见问题与解答
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